MVR蒸發器

本公司服務於食品、生物、製藥、化工、電力、鋼鐵、冶煉、電鍍、環保等行業，經過多年的努力和發展，公司夯實基礎，完善非標設備製造，深耕蒸發器產業和幹燥設備產業，拓展環保新業務。不斷引進人才，進行技術深層次研究及創新改進，公司每年生產各種類型蒸發器60-100台/套。

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MVR蒸發器

產品詳情

MVR蒸發器mvr是重新利用它自身產生的二次蒸汽的能量，從而減少對外界能源的需求的一項技術。二次蒸汽，經過壓縮機的壓縮，壓力和溫度得以升高，熱焓隨之增加，被送到蒸發器的加熱室當作加熱蒸汽即生蒸汽使用，使料液維持蒸發狀態，而加熱蒸汽本身將熱量傳遞給物料本身冷凝成水。這樣，原來要廢棄的蒸汽就得到了充分的利用，回收了潛熱，又提高了熱效率

MVR蒸發器的技術特性:

在MVR蒸發器係統內，在一定的壓力下，利用蒸汽壓縮機對換熱器中的不凝氣(開始預熱時)和水蒸汽(開始蒸發時)進行壓縮,從而產生蒸汽, 同時釋放出熱能。產生的二次蒸汽經機械式熱能壓縮機（類似於鼓風機）作用後，並在蒸發器係統內多次重複利用所產生的二次蒸汽的熱量，使係統內的溫度提升5～20℃，熱量可以連續多次的被利用，新鮮蒸汽僅用於補充熱損失和補充進出料熱焓，大幅度減低蒸發器對外來新鮮蒸汽的消耗。提高了熱效率，降低了能耗，避免使用外部蒸汽和鍋爐（本蒸汽再壓縮式節能蒸發器的主要運行費用僅僅是驅動壓縮機的電能）。由於電能是清潔能源，因此，MVR蒸發器真正達到了“零”汙染的排放（完全沒有二氧化碳的排放）。在中國各級政府大力提倡節能減排的今天，MVR技術的應用具有特別重要的現實意義。

MVR蒸發器的特點:

1、節能顯著，毎蒸發1000Kg水的能耗隻相當於傳統蒸發器的四分之一到五分之一。

2、運行成本低。

3、清潔能源，沒有任何汙染。

4、通過二次蒸汽回用技術，蒸汽冷凝水的COD、BOD及氨氮指標遠低於傳統的多效蒸發器的指標，他們完全符合國家規定的排放標準。

5、采用單級真空蒸發，蒸發溫度低，特別適合熱敏性較強的物料，不易使物料變性。采用低溫負壓蒸發（50-80℃），有利於防止被蒸發物料的高溫變性。

6、采用PLC可編程控製技術，實現自動運行。

三效連續蒸發結晶器的技術特點:

1、以往傳統三效靠手動操作非常繁瑣和困難，我公司生產的三效連續結晶器通過PLC控製，運行更穩定，操作更簡單，效率更高。

2、生蒸汽進入一效蒸發器作為熱源，對第一效效內的物料進行加熱；一效分離室內的物料經過蒸發產生二次蒸汽，進入二效效蒸發器作為熱源對第二效內的物料進行加熱；二效分離室內的物料經過蒸發產生二次蒸汽，進入三效蒸發器作為熱源對第三效內的物料進行加熱。一效冷凝水進入預熱器，作為預熱器的加熱源，整套係統充分地利用了濕、潛熱，以節約生蒸汽消耗量，降低了運行成本。

3、將具有強化傳熱、防垢性能優良的沸騰蒸發和強製循環蒸發的優勢相結合，形成優勢互補的濃縮方式。可實現強化傳熱，又能防止沸騰蒸發過程中加熱管加熱麵產生結垢。通過在出料的第三效加熱係統中加設一套強製循環裝置，使加熱管中物料流速達到≥2.0m/s，達到強化傳熱的目的，這樣就使得傳熱效率得到較大提高，同時由於保持了管束中料液的高速流動，也防止了結晶的物料在加熱管內壁附著，進而大限度上阻止了結垢的產生。該裝置廣泛用於鹽鹵、芒硝、硫酸鉀、氟化鈉、燒堿、亞硫酸鈉、硫酸錳、氯化納、氯化鋇、氯化鈣、氧化鋁、硫酸銨、氯化銨、硝酸鈉、硫酸鈉、硫酸鎂、硫酸鋅等溶液的沸騰蒸發結晶工藝。

4、蒸發工藝技術，具有蒸發速度快，物料受熱時間短，物料不易結焦與結垢。

5、物料可直接在蒸發器內熱結晶。

6、由於液料中可能含有少量的表麵活性劑或含有機物及容易起泡沫的溶液，因此在蒸發過程中，會有一定量的泡沫及液滴產生。蒸發所產生的二次蒸汽中攜帶的液滴或泡沫，一方麵會引起物料的流失（俗稱“跑料”），另方麵還會導致下一效蒸發器加熱室或冷凝器產生腐蝕、結垢以及傳熱效果降低等不良後果，並引起嚴重的蒸出液汙染。為了防止大液滴從二次蒸汽出口飛濺出去，在各效分離器內中設有高效除沬器，裝置確保有效的防止了泡沫夾帶料液的現象，除沫效率可高達99.8%～99.9%。同時也大大降低了蒸發出冷凝水中含低沸點有機物(COD)的量，以延長了設備的使用壽命，確保設備正常運行。

影響結晶的因數及結晶過程控製

影響結晶的因素主要有以下幾點：

1、漿料的過飽和度，這個主要由溫度來控製，溫度越低過飽和度越低。過飽和度越大，則，產生晶核越多，結晶體粒徑越小。

2、停留時間，時間越長，則產生的結晶體粒徑越大。停留時間與液位有關，液位越高，停留時間越強。

3、容器的攪拌強度，攪拌越強，容易破碎晶體，結晶體粒徑越小

4、雜質成分，雜質成分較多，則比較容易形成晶核，結晶體粒徑越小。

結晶過程控製：

1、維持穩定的過飽和度，防止結晶器在局部範圍內(例如蒸發麵、冷卻表麵、不同濃度的兩流股的混合區內)產生過大的過飽和度。

2、盡可能減低晶體的機械碰撞能量及幾率。

3、結晶器液麵應保持一定的高度，如果液麵太低，會破壞懸浮液床層，使過飽和度越過介穩區，產生大量晶核。

4、應防止係統帶氣，否則會破壞晶漿床層，使液麵翻騰，溢流帶料嚴重。

5、應限製晶體的生長速率，即不以盲目提高過飽和度的方法，來達到提高產量的目的。